金手机10月17日消息，东京电子(Tokyo Electron)最近成功开发了一种可用于生产400层3D NAND闪存的全新设备，旨在迎头赶上泛林集团(Lam Research)的领先地位。这一技术突破预计将为该公司带来数十亿美元的净收入。
据天脉网了解，生产3D NAND存储器需要高度专业的设备，目前主要由美国公司泛林集团掌控。今年6月，东京电子已宣布研发出一项全新的蚀刻技术，首次将电蚀刻应用于低温条件，同时创造性地发明出高蚀刻速率的系统。
东京电子希望通过这一技术突破，与泛林集团展开竞争。与传统方法相比，新的蚀刻技术至少能够提高2.5倍的生产效率。
东京电子还指出，这一技术对环境的影响极小。公司估计，一旦客户完成设备的安装和调试，将在未来2-3年内开始生产400层3D NAND存储器。预计到2027年，这一领域的产能将翻倍增长，达到200亿美元。
在上一个财年，东京电子销售的蚀刻设备总价值未超过39亿美元，仅占其总销售额的四分之一。借助这项新技术的帮助，公司预计其核心销售额至少将翻倍增加。
在去年销售额达到200亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以25%的市场份额位居第二，而美国的Lam Research公司继续领先，占据市场的主导地位。
过去五年来，东京电子的研发支出增加了77%，今年的研发支出预计将创下历史新高，达到134亿美元。这一举措将有助于进一步推动公司的技术创新和市场份额扩大。
