三星开始量产首款3nm Exynos芯片:Galaxy S25有望首发

发布:2024-05-09 16:11:59 阅读:416

5月7日消息,据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

据悉,这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。

据报道,三星使用Synopsys.ai EDA软件来提高芯片性能和产量。

此外,工程师还使用Synopsys Fusion Compiler(电子设计自动化工具)来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。

三星和Synopsis声称,后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz,同时将功耗降低10%。

这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化和更简单的分层方法。

三星以前生产的芯片在持续使用情况下,常常会出现耗电量大和性能下降的问题,如今三星推出的GAA技术,有望解决这类问题。

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